Studi Kuantitatif Respons Memristor Model Joglekar dan Biolek terhadap Variasi Sinyal Input

Penulis

DOI:

https://doi.org/10.33019/electron.v6i2.334

Kata Kunci:

Memristor, Joglekar, Biolek, LTspice, Simulasi, Statistik deskriptif, Sinyal input.

Abstrak

Penelitian ini bertujuan untuk menganalisis respons memristor model Joglekar dan Biolek terhadap variasi sinyal input menggunakan simulasi LTspice. Memristor, sebagai komponen kunci dalam teknologi memori non-volatile dan komputasi neuromorfik, memiliki kemampuan unik dalam menyimpan informasi melalui perubahan resistansi yang bergantung pada riwayat arus yang mengalir. Meskipun berbagai model matematis telah dikembangkan untuk memodelkan perilaku memristor, penelitian ini fokus pada dua model yang paling banyak digunakan, yaitu model Joglekar dan Biolek. Kedua model tersebut memiliki pendekatan matematis yang berbeda, terutama dalam penggunaan fungsi jendela untuk mengatur respons memristor terhadap variasi sinyal. Simulasi dilakukan dengan tiga jenis sinyal input yang berbeda: sinyal sinusoidal, kotak, dan segitiga, untuk mengevaluasi respons memristor terhadap variasi frekuensi dan amplitudo sinyal. Data hasil simulasi dianalisis secara kuantitatif menggunakan statistik deskriptif, yang meliputi perhitungan rata-rata, simpangan baku, varians, median, dan rentang. Hasil penelitian menunjukkan bahwa model Joglekar memiliki fluktuasi yang lebih besar dibandingkan model Biolek pada semua jenis gelombang, terutama pada gelombang kotak. Sebaliknya, model Biolek menunjukkan respons yang lebih stabil dan konsisten. Penelitian ini memberikan wawasan yang lebih mendalam mengenai keunggulan dan keterbatasan masing-masing model dalam aplikasi praktis, khususnya dalam pengembangan sistem memori dan komputasi neuromorfik berbasis memristor

Unduhan

Diterbitkan

2025-11-30

Cara Mengutip

Ramdhani, M., & Purnama, I. (2025). Studi Kuantitatif Respons Memristor Model Joglekar dan Biolek terhadap Variasi Sinyal Input. ELECTRON Jurnal Ilmiah Teknik Elektro, 6(2), 129–138. https://doi.org/10.33019/electron.v6i2.334